关于雪崩击穿和齐纳击穿的物理过程是一样的这个很多人还不知道，今天菲菲来为大家解答以上的问题，现在让我们一起来看看吧！
1、雪崩击穿大！ 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。
2、 齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。
3、齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。
4、（杂质大电荷密度就大） PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于 5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主。
5、 两者的区别对于稳压管来说，主要是： 电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。
6、 电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
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